[正火,回火,退火,淬火] SiC薄膜材料退火工艺设计

采用新型的磁控溅射技术应用于p-Si 基片上能够让我们制备出 SiC薄膜。将该项放在管式退火炉之中通N₂保护,分别在达到400℃,600℃,800℃以及1000℃的时候进行不同程度条件下的退火处理。研究此时退火温度不同情况下对于该项薄膜结构以及相对应的光特性所造成的一系列不同的影响。随着退火温度的不断升高,该项薄膜的结晶程度也慢慢的在向好的方向发展。在800℃的时候开始出现了结晶相的现象。Si-C峰也会向高波数方向靠拢这主要原因是膜中的Si-xCr的化学计量发生变化。PL谱中的三峰:322 nm源自薄膜中的中性氧空缺,370 nm源自SiC发光, 412 nm源自薄膜中的C簇。